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参数目录49581
> IRFR120ZTRLPBF MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
型号:
IRFR120ZTRLPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFR120ZTRLPBF PDF
标准包装
6,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫欧 @ 5.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
310pF @ 25V
功率 - 最大
35W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
查看IRFR120ZTRLPBF代理商
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